主要规格及技术指标

主要规格：
1.电子光学系统部分
预对中发叉式钨灯丝电子枪
二次电子图像： 3.0 nm @ 30 kV
背散射电子图像：4.0 nm @ 30 kV
加速电压：1 kV～30 kV
底片倍率：1-300000x，1-16x为光学放大
屏幕倍率：1-1000000x
2.探测器：二次电子探测器；背散射探测器
技术指标：
1 . 可同时进行光学分析及电子分析功能
2．分辨率：优于10nm，可以对亚微米的结构进行表征
3．加速电压： 5kV-10kV连续可调
4. 预抽真空时间：小于30s
5. 真空技术：有真空分级技术
6. 样品台移动控制方式：自动样品台控制，具有X、Y坐标回位功能
7. 观察模式：全面模式(形貌和成份)、形貌模式A（3D）、形貌模式B（3D）针对已保存图片，选中保存图片，即可一键还原到原来位置，并还原图片原有参数
8. 图像分辨率：960 x 600、1920 x 1200、3840 x 2400和7680 x 4800
9. 样品防撞装置，防呆设计，对于没有经验的学生也能使用，不会因设备内部移动造成撞击。

主要功能及特色

组织形貌分析

主要附件及配置

无