主要规格及技术指标

基片加热温度：室温～400℃；
前驱体输运系统：标准 2-6 路液态前驱体管路，可选配；
前驱体管路温度：室温～200℃；
源瓶加热温度：室温～200℃；
ALD 阀 ：Swagelok 快速高温 ALD 专用阀；
本底真空：＜5×10-5Torr，高性能机械泵；
载气系统 ：N2 或者 Ar；
生长模式：高速沉积模式和停留生长模式；
等离子体源：0-300W 感应耦合远程等离子体；
等离子体放电气源：标准 2-4 路，可选配；
沉积非均匀性：Al2O3 非均匀性＜±1%。

主要功能及特色

无机物纳米薄膜可控沉积

主要附件及配置

无